
ie),标志着个位数纳米级DRAM制造实现从无到有。 据行业信息,三星上月运用10a工艺完成晶圆生产,并通过特性测试确认晶片正常运行。该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管(VCT)工艺的实践。DRAM节点序列中,10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点,专家估算其线宽为9.5–9.
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